[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811376957.0 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109860356A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 陶章峰;乔楠;余雪平;程金连;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、以及P型接触层，所述多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，所述阱垒层包括量子阱层和量子垒层，所述量子阱层包括第一InGaN层，所述量子垒层包括顺次层叠的第一AlInGaN层、GaN层、以及第二AlInGaN层，靠近所述低温应力释放层的阱垒层中的量子阱层与所述低温应力释放层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 应力释放层 量子阱层 垒层 多量子阱层 量子垒层 外延片 衬底 制备 发光二极管外延 非掺杂GaN层 电子阻挡层 缓冲层 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、以及P型接触层，所述多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，所述阱垒层包括量子阱层和量子垒层，所述量子阱层包括第一InGaN层，所述量子垒层包括顺次层叠的第一AlInGaN层、GaN层、以及第二AlInGaN层，靠近所述低温应力释放层的阱垒层中的量子阱层与所述低温应力释放层接触。
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