[发明专利]一种小型半导体电嘴结构及加工方法

摘要

本发明提出一种小型半导体电嘴结构及加工方法，电嘴结构由壳体、绝缘体、中心电极和衬套组成；壳体采用分段结构焊接而成，上壳体采用4J34铁镍钴合金，下壳体采用GH3044高温合金，绝缘体为管状台阶结构，采用GLC‑58高铝瓷，绝缘体小径端外侧面及端面有半导体釉；中心电极插入绝缘体内，绝缘体装于壳体内部，衬套装于绝缘体和壳体之间，在钎焊部位通过陶瓷金属化钎焊将中心电极、绝缘体和壳体三者焊接为一体。本发明实现了总长为43mm，放电端外径的小型半导体电嘴，产品结构紧凑，用一个绝缘体实现了电嘴半导体特性、密封和绝缘功能；焊接工艺采用陶瓷‑金属封接技术，将中心电极、绝缘体和壳体三者焊接为一体，具有高的结合强度、良好的密封性及优良的耐热性能。

主权项

1.一种小型半导体电嘴结构，其特征在于：由壳体、绝缘体、中心电极和衬套组成；所述壳体采用分段结构焊接而成，分为上壳体和下壳体；上壳体为圆柱薄壁形状，内壁面开有轴向的台阶面，内壁面的大径段作为与衬套钎焊的部位；下壳体为阶梯圆柱结构，形状与绝缘体形状对应；所述绝缘体为管状台阶结构，其大径段外壁面具有一圈轴向凹槽，作为与衬套钎焊的部位，绝缘体内部台阶面作为与中心电极钎焊的部位；绝缘体小径端外侧面及端面有半导体釉；所述中心电极为带台阶的金属杆；所述中心电极插入绝缘体内，绝缘体装于壳体内部，衬套装于绝缘体和壳体之间，在钎焊部位通过陶瓷金属化钎焊将中心电极、绝缘体和壳体三者焊接为一体。