[发明专利]半导体的制造方法在审
| 申请号： | 201811380594.8 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109817519A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 鲁珺地;李孟津;吕芳谅;刘致为 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;刘致为 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L21/268;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体的制造方法包括在半导体基板上形成掺杂区域，其中掺杂区域包含杂质，及利用包含掺杂剂气体的处理气体对掺杂区域执行激光退火制程，其中掺杂剂气体与杂质包含同一化学元素。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区域 掺杂剂 半导体 化学元素 半导体基板 处理气体 激光退火 制程 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体的制造方法，其特征在于，包含：在一半导体基板上形成一掺杂区域，其中该掺杂区域中包含一杂质；以及利用包含一掺杂剂气体的一处理气体对该掺杂区域执行一激光退火制程，其中该掺杂剂气体及该杂质包含同一化学元素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司;刘致为，未经台湾积体电路制造股份有限公司;刘致为许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811380594.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种发光二极管原材料加热磷扩装置
- 下一篇：半导体晶粒退火方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
