[发明专利]低k电介质及其形成工艺有效
| 申请号： | 201811381318.3 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110034008B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 周家政;李俊德;施伯铮;包天一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本文描述的实施例总体涉及用于形成低k电介质的方法和由此形成的结构。在一些实施例中，在半导体衬底上方形成电介质。电介质具有等于或小于3.9的k值。形成电介质包括使用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)。PECVD包括使甲基二乙氧基硅烷(mDEOS，C |
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| 搜索关键词： | 电介质 及其 形成 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，包括：在半导体衬底上方形成电介质，所述电介质具有等于或小于3.9的k值，形成所述电介质包括使用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)，其中，所述等离子体增强化学汽相沉积包括：使甲基二乙氧基硅烷(mDEOS，C5H14O2Si)前体气体流动；使氧(O2)前体气体流动；以及使载气流动，其中，所述甲基二乙氧基硅烷前体气体的流量与所述载气的流量的比率小于或等于0.2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
