[发明专利]一种碳化硅双沟槽MOSFET器件有源区的制备方法有效
| 申请号： | 201811381503.2 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109545855B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 杨成樾;白云;汤益丹;陈宏;田晓丽;王臻星;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/16;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 崔亚松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种碳化硅双沟槽MOSFET器件有源区的制备方法。该方法只需通过两次光刻即可实现栅沟槽、源沟槽的两次刻蚀以及P‑、P+和N+有源区的三次离子注入。其中，栅沟槽刻蚀和P‑、N+注入通过一次光刻和两次自对准工艺实现；源沟槽和P+注入通过一次光刻和一次自对准工艺实现。该方法具有制作精度高且工艺成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 沟槽 mosfet 器件 有源 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅双沟槽MOSFET器件有源区的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在SiC衬底上沉积第一次注入掩膜介质，并形成第一次离子注入窗口，并进行第一次离子注入；在所述第一次注入掩膜介质上生长第二次注入掩膜介质，通过刻蚀在所述第一次注入掩膜介质的侧壁上形成第二次注入掩膜介质侧墙，并进行第二次离子注入；通过高温氧化将所述第二次注入掩膜介质侧墙全部氧化形成栅槽刻蚀窗口；在所述栅槽刻蚀窗口刻蚀所述SiC衬底形成栅沟槽，并去除所有掩膜介质；生长第三次注入掩膜介质并形成源沟槽窗口，在所述源沟槽窗口刻蚀所述SiC衬底形成源沟槽；刻蚀所述第三次注入掩膜介质使所述源沟槽窗口展宽，形成第三次离子注入窗口，并进行第三次离子注入；去除所述第三次注入掩膜介质。
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