[发明专利]一种MSM光电探测器的制备方法

摘要

本发明公开了一种MSM光电探测器的制备方法，属于光电探测器技术领域，本发明中高速高效率MSM光电探测器的制备方法为：在SOI(Si+SiO2+Si)基片上制备半导体薄膜；在半导体薄膜上制备叉指电极；腐蚀去除SiO2层，使器件脱离硅基底；在器件背面依次刻蚀硅与半导体薄膜形成周期性光陷阱结构，得到高速高效率MSM光电探测器，该制备方法通过在半导体薄膜中集成周期性光陷阱结构，在保证MSM光电探测器的响应速率的同时，有效提高探测器的光探测效率，本发明用于可见光与红外探测与成像技术。

主权项

1.一种MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在SOI基片上制备半导体薄膜(20)；其中，SOI基片包括从下到上依次电镀形成的硅基片层(10)、二氧化硅层(11)和硅薄膜层(12)，所述半导体薄膜(20)黏附于所述硅薄膜层(12)上表面上；(2)在所述半导体薄膜(20)上电镀并图形化形成若干叉指电极(30)；(3)采用腐蚀法去除二氧化硅层(11)，使得硅基片层(10)和二氧化硅层(11)从硅薄膜层(12)上脱落；(4)在所述半导体薄膜(20)上沿其纵向方向刻蚀若干周期孔且形成周期性光陷阱结构(40)，每一个周期孔向硅薄膜层(12)延伸且伸入硅薄膜层(12)内，每一个周期孔不贯穿硅薄膜层(12)，周期孔的周期为0.5‑13μm。