[发明专利]一种多芯片封装互联结构及多芯片封装互联方法在审
申请号: | 201811382054.3 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN109326580A | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 范亚明;朱璞成 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L21/768 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王茹;王锋 |
地址: | 330200 江西省南昌市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种多芯片封装互联结构,包括:层叠设置的第一基板和第二基板;所述第一基板上设有若干第一腔体,第一腔体内设有若干第一芯片,第一基板的上表面设有第一焊盘,第一焊盘与第一芯片电气连接;所述第二基板上设有若干第二腔体,第二腔体内设有若干第二芯片,第二基板的上表面设有第二焊盘,第二焊盘与第二芯片电气连接;所述第一焊盘与第二焊盘之间通过贯穿第二基板的导电介质电气连接。本发明的多芯片封装互联结构,采用直接焊接的方式,实现基板的垂直互联,多芯片封装集成度高,可靠性好,工艺简单,成本低。对微波射频信号插入损耗不超过0.5dB,可解决基板高密度垂直互联的问题,广泛应用于射频微波电路的多芯片封装系统中。 | ||
搜索关键词: | 焊盘 多芯片封装 第二基板 第一基板 互联结构 芯片电气 上表面 互联 基板 垂直 多芯片封装系统 体内 芯片 射频微波电路 微波射频信号 层叠设置 插入损耗 导电介质 第二腔体 第一腔体 电气连接 直接焊接 集成度 贯穿 应用 | ||
【主权项】:
1.一种多芯片封装互联结构,其特征在于,包括:层叠设置的第一基板和第二基板;所述第一基板上设有若干第一腔体,第一腔体内设有若干第一芯片,第一基板的上表面设有第一焊盘,第一焊盘与第一芯片电气连接;所述第二基板上设有若干第二腔体,第二腔体内设有若干第二芯片,第二基板的上表面设有第二焊盘,第二焊盘与第二芯片电气连接;所述第一焊盘与第二焊盘之间通过贯穿第二基板的导电介质电气连接。
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