[发明专利]用于半导体处理的方法以及半导体结构有效
| 申请号： | 201811382303.9 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110556334B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 郭家邦;李亚莲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述的实施例一般涉及在半导体处理中形成用于导电部件的阻挡层的一种或多种方法以及形成的半导体结构。在一些实施例中，形成穿过介电层至导电部件的开口。在开口中沿着介电层的侧壁且在导电部件的表面上形成在阻挡层。形成阻挡层包括沉积包括使用前体气体的层。前体气体具有用于在导电部件的表面上的沉积的第一培养时间和用于在介电层的侧壁上的沉积的第二培养时间。第一培养时间大于第二培养时间。在开口中且在阻挡层上形成导电填充材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 处理 方法 以及 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体处理的方法，所述方法包括：/n形成穿过介电层至导电部件的开口；/n在所述开口中沿着所述介电层的侧壁且在所述导电部件的表面上形成阻挡层，形成所述阻挡层包括使用第一前体气体沉积层，所述第一前体气体具有在所述导电部件的表面上沉积的第一培养时间和在所述介电层的侧壁上沉积的第二培养时间，所述第一培养时间大于所述第二培养时间；以及/n在所述开口中且在所述阻挡层上形成导电填充材料。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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