[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201811382929.X | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111200011B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一器件区和第二器件区；在衬底上形成第一掺杂层；在第一掺杂层上形成位于第一器件区的第一鳍部层和位于第二器件区的第二鳍部层；在第一器件区的第一掺杂层上形成覆盖部分第一鳍部层侧壁的第一隔离层；在第二器件区的第一掺杂层上形成覆盖部分第二鳍部层侧壁的第二隔离层，第二隔离层的厚度小于第一隔离层；在第一隔离层上形成覆盖部分第一鳍部层侧壁和部分第一隔离层表面的第一栅极结构；在第二隔离层上形成覆盖部分第二鳍部层侧壁和部分第二隔离层表面的第二栅极结构；在第一鳍部层顶部形成第二掺杂层；在第二鳍部层顶部形成第三掺杂层。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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