[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811383980.2 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109671820A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 苏晨;王慧;肖扬;肖云飞;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管领域。所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上顺次沉积缓冲层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、以及P型接触层，所述电子阻挡层包括若干层叠的复合层，所述复合层包括BAlN子层和GaN子层，所述BAlN子层为BxAl1‑xN子层，0.13≤x≤0.15。 | ||
| 搜索关键词： | 子层 电子阻挡层 复合层 外延片 衬底 制备 非掺杂GaN层 多量子阱层 应力释放层 缓冲层 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上顺次沉积缓冲层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、以及P型接触层，所述电子阻挡层包括若干层叠的复合层，所述复合层包括BAlN子层和GaN子层，所述BAlN子层为BxAl1‑xN子层，0.13≤x≤0.15。
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