[发明专利]一种阻型存储器结构在审
| 申请号： | 201811384438.9 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109300933A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 张一平;王子欧;张立军;朱灿焰 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻型存储器结构，包括MOSFET管、复数个阻型存储单元和复数条对应阻型存储单元的位线；所述MOSFET管的源极连接到源极线，栅极连接到字线，漏极分别连接到各阻型存储单元的一端，各阻型存储单元的另一端连接到其对应的位线。本发明能够减小阻型存储器的面积，提高阻型存储器的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储单元 存储器结构 存储器 复数 位线 一端连接 源极连接 栅极连接 源极线 减小 漏极 字线 存储 | ||
【主权项】：
1.一种阻型存储器结构，其特征在于：包括MOSFET管、复数个阻型存储单元和复数条对应阻型存储单元的位线；所述MOSFET管的源极连接到源极线，栅极连接到字线，漏极分别连接到各阻型存储单元的一端，各所述阻型存储单元的另一端连接到其对应的位线，各所述位线中有且仅有一条被置读写电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
