[发明专利]半导体结构、重布线层结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811385525.6 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111199933A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓;许文豪 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开是关于一种重布线层结构、重布线层结构的制造方法以及半导体结构。该重布线层结构包括：重布线层，设置于衬底上，所述重布线层包括焊垫部和与所述焊垫部连接的导线部；其中，所述焊垫部的厚度大于所述导线部的厚度。本公开提供的重布线层结构，焊垫部相对导线部具有较厚的厚度，较厚的焊垫部能够在封装金或铜打线时提供较多的撞击缓冲区，以避免衬底受力破裂，同时也避免了在增加焊垫部厚度时而引起增加导线间的寄生电容的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 布线 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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