[发明专利]一种多模式的ONFI接口发送电路有效
| 申请号： | 201811388792.9 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109378022B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 孔亮;刘亚东;庄志青 | 申请（专利权）人： | 灿芯半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14 |
| 代理公司： | 上海湾谷知识产权代理事务所(普通合伙) 31289 | 代理人： | 倪继祖 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多模式的ONFI接口发送电路，包括上拉单元和下拉单元，其中，所述上拉单元包括3.3V的PMOS管和3.3V的第一NMOS管，所述PMOS管的源极和所述第一NMOS管的漏极接电源VDDIO；所述PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的源极相接，作为输出端；所述PMOS管的栅极接收0V或3.3V的控制信号A，所述第一NMOS管的栅极接收3.3V或0V的控制信号B；所述下拉单元包括3.3V的第二NMOS管，该第二NMOS管的栅极接收3.3V或0V的控制信号C，分别控制第二NMOS管打开或关闭来发送低电平或高电平。从而解决了三种电压模式的兼容问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模式 onfi 接口 发送 电路 | ||
【主权项】：
1.一种多模式的ONFI接口发送电路，其特征在于，包括上拉单元和下拉单元，其中，所述上拉单元包括3.3V的PMOS管和3.3V的第一NMOS管，所述PMOS管的源极和所述第一NMOS管的漏极接电源VDDIO；电源VDDIO由外部电源供给3.3V、1.8V或1.2V；所述PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的源极相接，作为输出端；所述PMOS管的栅极接收0V或3.3V的控制信号A，所述第一NMOS管的栅极接收3.3V或0V的控制信号B；所述下拉单元包括3.3V的第二NMOS管，该第二NMOS管的栅极接收3.3V或0V的控制信号C，分别控制第二NMOS管打开或关闭来发送低电平或高电平。
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