[发明专利]一种红光LED外延结构及制作方法

摘要

本发明提供了一种红光LED外延结构及制作方法，该红光LED外延结构通过设置存储层，使电洞集聚与此，随着电洞的不断增加，以及存储层本身可产生大量的电洞，从第一GaP层和第二GaP层跃迁过来的电洞拥有更高的电洞势能，电洞之间的碰撞，会产生更多的电洞跃迁至MWQ多量子阱层，即有源区，从而提供更高的电子与空穴对，进而提高内量子效率，同时生长第一InGaP层和第二InGaP层可以通过低温生长出更高的掺杂，通过第一GaP层和第二GaP层降低在高温生长过程中对In的影响，可以提供更高的电洞。

主权项

1.一种红光LED外延结构，其特征在于，所述红光LED外延结构包括：衬底；在所述衬底上以第一方向依次设置的缓冲层、N型DBR反射镜层、N型限制层、第一波导层、MQW多量子阱层、第二波导层、P型限制层和欧姆接触层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述缓冲层；设置在所述P型限制层和所述欧姆接触层之间的存储层，所述存储层包括在所述第一方向上依次设置的(AlxGa1‑x)yIn1‑yP层、第一InGaP层、第二InGaP层、第一GaP层和第二GaP层，其中，0＜x＜0.9，0＜y＜1。