[发明专利]集成电路器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811391596.7 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110061003B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李知承;姜润升;李成禧;郑祥教;李炫哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括：限定有源区域的器件隔离沟槽；填充器件隔离沟槽的器件隔离膜；在第一方向上延伸跨过有源区域和器件隔离膜的栅极沟槽；覆盖栅极沟槽的内壁的栅极电介质膜；以及在栅极电介质膜之上填充栅极沟槽的一部分的导电线。有源区域包括位于导电线下面的鳍主体部分以及从鳍主体部分朝向导电线突出并在第一方向上具有比鳍主体部分的宽度小的宽度的较薄鳍部分。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：基板，具有限定有源区域的器件隔离沟槽；器件隔离膜，在所述有源区域周围填充所述器件隔离沟槽；栅极沟槽，在第一方向上延伸跨过所述有源区域和所述器件隔离膜；栅极电介质膜，覆盖所述栅极沟槽的内壁；以及导电线，在所述栅极电介质膜之上填充所述栅极沟槽的一部分，其中所述有源区域包括在所述导电线下面的鳍主体部分以及从所述鳍主体部分朝向所述导电线突出并在所述第一方向上具有比所述鳍主体部分的宽度小的宽度的较薄鳍部分。
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