[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201811391842.9 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109545667A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 鲁旭斋;雷喜凡;张锋;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；对所述衬底进行第一表面处理，使所述衬底表面具有第二粗糙度，且所述第二粗糙度在预设范围内；在进行所述第一表面处理之后，在所述衬底表面形成光刻胶层。所述方法形成的半导体结构的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 衬底表面 第一表面 粗糙度 衬底 光刻胶层 预设 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；对所述衬底进行第一表面处理，使所述衬底表面具有第二粗糙度，且所述第二粗糙度在预设范围内；在进行所述第一表面处理之后，在所述衬底表面形成光刻胶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
