[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201811391892.7 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109872954A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡仲恩;吕芳谅;陈品翔;刘致为 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;刘致为 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件的制造方法包括在基板上方形成鳍结构；形成邻接鳍结构的源极/漏极结构，其中源极/漏极结构包括锡，及使源极/漏极结构曝露于含硼气体以将硼扩散至源极/漏极结构内，以在源极/漏极结构内形成掺杂区域。 | ||
| 搜索关键词： | 源极/漏极 半导体元件 鳍结构 掺杂区域 含硼气体 邻接 硼扩散 基板 曝露 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：在一基板上方形成一鳍结构；形成邻接该鳍结构的一源极/漏极结构，其中该源极/漏极结构包含锡；以及使该源极/漏极结构曝露于一含硼气体，以将硼扩散至该源极/漏极结构内以在该源极/漏极结构内形成一掺杂区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
