[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811391965.2 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109671816B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 江斌;肖云飞;刘春杨;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。在N型GaN层与多量子阱层之间依次插入AlN层、N型GaN应力释放层，插入的AlN层可起到阻挡电子的作用，使得进入多量子阱层的电子的移动速率较低，有效避免出现电子因移动速率过快导致电子溢出多量子阱层的情况，电流得到拓展，使得更多的电子可在多量子阱层中与空穴进行复合；同时N型GaN应力释放层也可减小AlN层与多量子阱层之间的晶格失配，保证多量子阱层的生长质量，最终使得发光二极管的发光效率提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、AlN层、N型GaN应力释放层、多量子阱层及P型GaN层。
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