[发明专利]一种蚀刻制程中的光阻层显影处理方式在审

申请号：	201811392397.8	申请日：	2018-11-21
公开（公告）号：	CN109545668A	公开（公告）日：	2019-03-29
发明（设计）人：	朱翔宇;张家伟;江富杰;李司元	申请（专利权）人：	合肥新汇成微电子有限公司
主分类号：	H01L21/027	分类号：	H01L21/027;H01L21/3213
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	230000 安徽***	国省代码：	安徽;34
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摘要：	本发明公开了一种蚀刻制程中的光阻层显影处理方式，包括以下步骤：溅镀：在集成电路芯片表面溅镀金属膜；光阻涂布：用光阻涂布机在芯片表面涂覆厚度为15‑40微米的光阻；曝光：用曝光机，对无需生长金凸块位置的光阻进行曝光；显影：用显影机和显影液去除掉未曝光区的光阻，将需要生长金凸块的位置打开开窗；电镀金：在芯片上光阻开窗区镀10‑15微米高度的金凸块；光阻去除；进行电浆处理和金蚀刻处理去除溅镀金属膜中的金层；钛钨蚀刻以去除溅镀金属膜中的钛钨膜；用蚀刻液处理上述得到的晶圆上形成待蚀刻层，在待蚀刻层上形成光阻层，在光阻层上形成抗反射层；对抗反射层和光阻层进行曝光显影处理。
搜索关键词：	光阻层溅镀金属膜金凸块光阻待蚀刻层蚀刻制程显影处理去除集成电路芯片蚀刻光阻涂布机蚀刻液处理电浆处理光阻去除光阻涂布抗反射层曝光显影蚀刻处理未曝光区芯片表面曝光生长电镀金反射层开窗区曝光机显影机显影液钛钨膜上光除掉金层晶圆开窗涂覆显影钛钨芯片对抗
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【主权项】：

1.一种蚀刻制程中的光阻层显影处理方式，其特征在于，包括以下步骤：(1)溅镀：在集成电路芯片表面溅镀金属膜；(2)光阻涂布：用光阻涂布机在芯片表面涂覆厚度为15‑40微米的光阻；(3)曝光：用曝光机，对无需生长金凸块位置的光阻进行曝光；(4)显影：用显影机和显影液去除掉未曝光区的光阻，将需要生长金凸块的位置打开开窗；(5)电镀金：在芯片上光阻开窗区镀10‑15微米高度的金凸块；(6)光阻去除；(7)进行电浆处理和金蚀刻处理去除溅镀金属膜中的金层；(8)钛钨蚀刻以去除溅镀金属膜中的钛钨膜；(9)用蚀刻液处理上述得到的晶圆上形成待蚀刻层，在待蚀刻层上形成光阻层，在光阻层上形成抗反射层；对抗反射层和光阻层进行曝光显影处理。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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