[发明专利]半导体激光器芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811393166.9 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111211479A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 郑兆祯;陈长安 | 申请（专利权）人： | 深圳市中光工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体激光器芯片及其制备方法，该方法包括：提供一外延片，所述外延片包括平行设置的多个共振腔；提供一热沉基板，包括相对设置的第一表面与第二表面；将所述外延片贴合在所述热沉基板的所述第一表面上以形成第一芯片半成品；沿垂直于所述共振腔的方向上对所述第一芯片半成品进行第一分割以将所述第一芯片半成品分割为多个第二芯片半成品；沿平行于所述共振腔的方向上对所述第二芯片半成品进行第二分割以将所述第二芯片半成品分割为多个半导体激光器芯片，以使得所述半导体激光器芯片包括至少一个激光巴条。通过上述方式，本申请提供的激光巴条及其制备方法中，通过先对外延片与热沉基板进行固定，然后根据具体的需要可以对其进行分割，从而可以按需得到不同型号大小的半导体激光器芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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