[发明专利]一种新型纤锌矿GaAs核壳纳米线光电探测器的制备方法

摘要

本发明涉及一种新型纤锌矿GaAs核壳纳米线光电探测器的制备方法，将GaAs(111)B单晶衬底先后浸泡在多聚赖氨酸溶液和金溶胶中，然后清洗并干燥，放入到金属有机气相沉积系统中，通入高纯氢气作为载气，然后通入砷化氢，将衬底加热一段时间，然后降温，再通入三甲基镓，保持一段时间；将衬底加热，然后通入三甲基铟和磷化氢，将所制备的核壳纳米线转移到Si/SiO2衬底上，然后在纳米线表面涂上一层ZEP光刻胶，然后在纳米线两端刻画出两个沟道，之后利用稀盐酸腐蚀纳米线以去除掉纳米线InP壳层，随后镀上Ti/Au合金以制备电极，得到新型纤锌矿GaAs核壳纳米线光电探测器。本发明制备的光探测器测量效率高，也比现有的纳米线光探测器的光响应度高接近两个数量级。

主权项

1.一种新型纤锌矿GaAs核壳纳米线光电探测器的制备方法，包括以下步骤：（1）将干净的GaAs(111)B单晶衬底先后浸泡在多聚赖氨酸溶液和金溶胶中，然后再用去离子水清洗并干燥；（2）将干燥后的衬底放入到金属有机气相沉积系统中，通入高纯氢气作为载气，然后通入砷化氢，将衬底加热到600℃，保温一段时间，然后降温至575℃，再通入三甲基镓，保持一段时间，以生长纤锌矿GaAs纳米线；（3）完成纤锌矿GaAs纳米线生长之后，将衬底加热，然后通入三甲基铟和磷化氢，并调整三甲基镓的流量，保持一段时间，以生长纤锌矿GaAs纳米线的GaInP壳结构；（4）完成纤锌矿GaAs纳米线的GaInP壳结构生长之后，将所制备的核壳纳米线转移到Si/SiO2衬底上，然后在纳米线表面涂上一层ZEP光刻胶，然后在纳米线两端刻画出两个沟道，随后利用氧气等离子体去除剩余的残胶，之后利用稀盐酸腐蚀纳米线以去除掉纳米线InP壳层，随后立即在暴露的纳米线表面镀上Ti/Au合金以制备电极；（5）完成纳米线电极制备后，去除掉剩余的ZEP光刻胶，得到新型纤锌矿GaAs核壳纳米线光电探测器。