[发明专利]一种可调节的射频渗透磁场增强电离源在审
| 申请号： | 201811396232.8 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN111211035A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 李金旭;李海洋;侯可勇;曹艺雪;吴称心 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01J49/10 | 分类号： | H01J49/10;H01J49/26;G01N27/68 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可调节的射频渗透磁场增强电离源，包括射频真空紫外灯(RF‑VUV)、射频电路控制板、电离源腔体、电极片和永久磁铁。该电离源将射频场和磁场结合在一起对电子同时作用，提高样品分子的电离效率从而提高仪器的检测灵敏度。其中射频场对电离源内的电子具有存储功能类似于阱的作用，磁场则可以增加电子的运动路径提高电子与样品分子的碰撞几率，通过这两方面的同时作用进一步提高了仪器的检测灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 射频 渗透 磁场 增强 电离 | ||
【主权项】：
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