[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器及其制作方法，包括：在沟道孔的底部形成外延硅层，并在沟道孔的侧壁上形成第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；在沟道孔的侧壁上形成预设厚度的第一无定型硅层；去除外延硅层表面的第一氧化硅层、氮化硅层、第二氧化硅层和第一无定型硅层；去除沟道孔内的第一无定型硅层；在沟道孔的侧壁上形成预设厚度的第二无定型硅层，并对第二无定型硅层进行干氧化处理，不仅可以同时对第一氧化硅层、氮化硅层、第二氧化硅层和第二无定型硅层进行退火处理，而且可以使得部分第二无定型硅层形成填充沟道孔的第三氧化硅层，相当于采用一个步骤代替了现有技术中的四个步骤，从而减少了三维存储器的制作步骤，缩短了制作时间。

主权项

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有堆叠层以及贯穿所述堆叠层的沟道孔，所述堆叠层包括多层交替排布的层间介质层和牺牲介质层；在所述沟道孔的底部形成外延硅层，并在所述沟道孔的侧壁上依次形成第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；在所述沟道孔的侧壁上形成预设厚度的第一无定型硅层；去除所述外延硅层表面的所述第一氧化硅层、所述氮化硅层、所述第二氧化硅层和所述第一无定型硅层；去除所述沟道孔内的所述第一无定型硅层；在所述沟道孔的侧壁上形成预设厚度的第二无定型硅层，并对所述第二无定型硅层进行干氧化处理，以在对所述第一氧化硅层、所述氮化硅层、所述第二氧化硅层和所述第二无定型硅层进行退火的同时，使部分所述第二无定型硅层形成填充所述沟道孔的第三氧化硅层。