[发明专利]剥离装置在审
| 申请号： | 201811398022.2 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109841543A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 日野原和之;松尾晴贵;平田和也;山本凉兵 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供剥离装置，其能够容易地以剥离层为起点将晶片从锭剥离。剥离装置包含：锭保持单元，其按照使相当于晶片的部分向下而使锭悬垂的状态对该锭进行保持；水槽，其贮存水；超声波单元，其浸渍于水槽内的水中；移动单元，其使锭保持单元在上下方向上移动并使该锭保持单元与超声波单元面对，并且该移动单元使相当于晶片的部分浸渍于水槽的水中；以及喷嘴，其朝向相当于晶片的部分喷射水而促进晶片的剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 水槽 剥离装置 浸渍 超声波单元 移动单元 水中 剥离 悬垂 上下方向 喷嘴 剥离层 喷射水 上移动 贮存 | ||
【主权项】：
1.一种剥离装置，其从将具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于相当于晶片的厚度的深度而照射激光光线从而形成有剥离层的锭将该晶片剥离，其中，该剥离装置包含：锭保持单元，其按照使相当于该晶片的部分向下而使锭悬垂的状态对该锭进行保持；水槽，其贮存水；超声波单元，其浸渍于该水槽内的水中；移动单元，其使该锭保持单元在上下方向上移动并使该锭保持单元与该超声波单元面对，并且该移动单元使相当于该晶片的部分浸渍于该水槽内的水中；以及喷嘴，其朝向相当于该晶片的部分喷射水而促进该晶片的剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
