[发明专利]用于静电放电保护的全摆幅正到负MOSFET电源钳位有效
| 申请号： | 201811401979.8 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109950889B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | D·阿加瓦尔;R·斯坦安达姆 | 申请（专利权）人： | 意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H03K19/003 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;姚宗妮 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了用于静电放电保护的全摆幅正到负MOSFET电源钳位。使用包括触发驱动的MOSFET器件的电源钳位电路来提供静电放电(ESD)保护。响应于检测到正ESD事件或负ESD事件而触发MOSFET器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静电 放电 保护 全摆幅正到负 mosfet 电源 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电(ESD)保护电路，包括：第一电源线；第二电源线；MOSFET开关电路，具有连接到所述第一电源线的第一导电端子、连接到所述第二电源线的第二导电端子、以及栅极控制端子；第一触发电路，被配置为响应于在所述第一电源线和所述第二电源线中的一个或多个电源线处检测到正ESD事件而生成正触发信号；第二触发电路，被配置为响应于在所述第一电源线和所述第二电源线中的一个或多个电源线处检测到负ESD事件而生成负触发信号；以及传递电路，被配置为传递所述正触发信号和所述负触发信号以用于施加到所述MOSFET开关电路的所述栅极端子。
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