[发明专利]一种多晶硅薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201811402564.2 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN111223754A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 叶昱均 | 申请（专利权）人： | 陕西坤同半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安亚信智佳知识产权代理事务所(普通合伙) 61241 | 代理人： | 段国刚 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开是关于一种多晶硅薄膜及其制备方法，该多晶硅薄膜制备方法包括：在基底上形成非晶硅层，在所述非晶硅层上沉积形成第一氧化硅层；进行快速退火处理，使得所述非晶硅层内部的氢含量小于3％；去除所述第一氧化硅层表面的有机物；去除所述非晶硅层上的第一氧化硅层；在所述非晶硅层上形成第二氧化硅层；进行准分子激光退火处理，使得所述非晶硅层形成多晶硅层。本公开简化了整个多晶硅薄膜制备的工艺流程，提高了操作过程的安全性，一定程度上节约了物力、人力资源，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西坤同半导体科技有限公司，未经陕西坤同半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811402564.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：酸槽酸雾捕集装置
- 下一篇：一种应急车辆的通行控制系统及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
