[发明专利]一种低成本黑硅太阳能电池制作方法

摘要

本发明公开了一种低成本黑硅太阳能电池制作方法，涉及晶硅太阳能电池生产，包括：对硅片进行表面清洗和湿法制绒；利用硼源，对硅片进行高温掺杂，制作P‑N结；在酸溶液、碱溶液中去除硅片表面的硅硼玻璃，以及蚀刻去边；在硅片正面使用ALD沉积法沉积Al₂O₃层，实现黑硅的上表面钝化；在Al₂O₃层上使用PECVD沉积法沉积SiN_X减反射层；在硅片的背面沉积SiO₂和SiN_x叠层钝化层，实现黑硅的背表面钝化；在硅片背面钝化层上进行激光开槽；丝网印刷导电Ag浆和Al浆，制作金属电极；高温烧结，形成黑硅太阳能电池。本发明解决了减反效果与其带来的表面钝化问题之间的矛盾，适合产业化。

主权项

1.一种低成本黑硅太阳能电池制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用的衬底为N型掺镓硅基材，对硅片进行表面清洗和湿法制绒；S2、利用硼源，对硅片进行高温掺杂，制作P‑N结；S3、在酸溶液、碱溶液中去除硅片表面的硅硼玻璃，以及蚀刻去边；S4、在硅片正面使用ALD沉积法沉积Al2O3层，实现黑硅的上表面钝化；S5、在Al2O3层上使用PECVD沉积法沉积SiNx减反射层；S6、在硅片的背面使用PECVD沉积法沉积SiO2和SiNx叠层钝化层，实现黑硅的背表面钝化；S7、在硅片背面钝化层上进行激光开槽；S8、丝网印刷导电Ag浆和Al浆，制作金属电极；S9、高温烧结，形成黑硅太阳能电池。