[发明专利]红外传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201811404519.0 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109489833A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 姜利军 | 申请（专利权）人： | 杭州大立微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 310053 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种红外传感器及其形成方法，所述红外传感器包括：基底，所述基底上形成有红外传感像元；辐射衰减结构，位于所述红外传感像元上方，所述辐射衰减结构对探测波段的透过率与温度呈负相关。所述红外传感器对高温辐射的耐受能力以及对高温目标的检测能力提高。 | ||
| 搜索关键词： | 红外传感器 辐射衰减 红外传感 基底 像元 高温辐射 高温目标 耐受能力 探测波段 负相关 透过率 检测 | ||
【主权项】：
1.一种红外传感器，其特征在于，包括：基底，所述基底上形成有红外传感像元；辐射衰减结构，位于所述红外传感像元上方，所述辐射衰减结构对探测波段的透过率与温度呈负相关。
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