[发明专利]一种显著抑制俄歇复合的合金量子点及其制备和应用有效

专利信息
申请号: 201811405082.2 申请日: 2018-11-23
公开(公告)号: CN111218283B 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 吴凯丰;王俊慧;丁韬 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 马驰
地址: 116023 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明具体公开了一种显著抑制俄歇复合的合金层量子点(QDs)及其制备方法。合成过程中连续注入Cd、Zn、Se前驱体,利用原子具有不同的反应活性及原子扩散度的不同,合成了一种CdSe/Cd1‑xZnxSe合金层QDs。该合金层QDs由于从CdSe核到ZnSe壳其x值几乎是连续分布的,实现了带内俄歇复合和带间俄歇复合的显著抑制。采用n掺杂(电子掺杂)的合金QDs,其negative trion的俄歇复合被完全抑制了,仅以辐射方式进行复合。该合金层QDs表现出的种种优异光学性能表明了其今后应用于低阈值激光器、发光二极管(LED)及“non‑blinking”非闪烁光源具有极大优势及发展潜力。
搜索关键词: 一种 显著 抑制 复合 合金 量子 及其 制备 应用
【主权项】:
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