[发明专利]一种场致电子束泵浦紫外光源有效
| 申请号： | 201811405854.2 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109546527B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 陈一仁;宋航;张志伟;缪国庆;蒋红;李志明;孙晓娟;黎大兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 130033 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场致电子束泵浦紫外光源，所述场发射电子源包括第一电极、第二电极、n型GaN半导体层、场致发射阴极阵列及第一电源；所述场发射电子源的外延层由蓝宝石衬底向外依次为所述第二AlN缓冲层、所述n型GaN半导体层；所述第一电极与所述第二电极设置于所述n型GaN半导体层同一表面且所述第一电极与所述第二电极之间具有空隙，所述第一电极与所述第二电极无直接接触；所述场致发射阴极阵列设置于所述空隙中，且所述场致发射阴极阵列与所述n型GaN半导体层接触设置；所述场致发射阴极为具有紫外光敏特性的场致发射阴极；所述第一电极与所述第二电极分别连接于第一电源的正极与负极。本发明提高了场致电子束泵浦紫外光源的发光功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 致电 子束泵浦 紫外 光源 | ||
【主权项】：
1.一种场致电子束泵浦紫外光源，其特征在于，所述场发射电子源包括第一电极、第二电极、n型GaN半导体层、场致发射阴极阵列及第一电源；所述场发射电子源的外延层由蓝宝石衬底向外依次为所述第二AlN缓冲层、所述n型GaN半导体层；所述第一电极与所述第二电极设置于所述n型GaN半导体层同一表面且所述第一电极与所述第二电极之间具有空隙，所述第一电极与所述第二电极无直接接触；所述介质隔离层设置于所述第一电极与所述第二电极表面，且所述介质隔离层为具有开口的层，所述开口与所述空隙相对应；所述金属栅设置于所述介质隔离层表面，且所述金属栅为具有开口的金属栅，所述开口与所述空隙相对应；所述场致发射阴极阵列设置于所述空隙中，且所述场致发射阴极阵列与所述n型GaN半导体层接触设置；所述场致发射阴极为具有紫外光敏特性的场致发射阴极；所述第一电极与所述第二电极分别连接于第一电源的正极与负极。
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