[发明专利]一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路有效
| 申请号： | 201811406131.4 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109559773B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 龚正辉;董业民;杨文伟;陈晓杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪;杨希 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路，其包括：一基准源，其提供一组基准电压；一温度检测模块，其提供一随温度变化的检测电压；一与所述基准源和温度检测模块连接的多路补偿码产生模块，其将所述一组基准电压分别与检测电压比较，并相应地产生一组温度补偿码；以及一连接在所述多路补偿码产生模块和一SRAM时序电路之间的时序补偿模块，其根据所述一组温度补偿码对所述SRAM时序电路进行时序补偿。本发明通过对SRAM芯片内部容易受到温度影响的时序电路进行自适应补偿，从而使得在SRAM芯片工作温度发生变化时，电路的时序可以及时做出动态调整，进而确保超低温高速工作情况下SRAM芯片工作的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超低温 sram 时序电路 温度 自适应 补偿 电路 | ||
【主权项】：
1.一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路，其特征在于，所述电路包括：一基准源，其用于提供一组基准电压Vref0、……、VrefN；一温度检测模块，其用于检测一SRAM芯片内部的温度变化情况，并提供一随温度变化的检测电压Vdet；一与所述基准源和温度检测模块连接的多路补偿码产生模块，其用于将所述一组基准电压Vref0、……、VrefN分别与检测电压Vdet比较，并相应地产生一组温度补偿码Bit[0]、……Bit[N]；以及一连接在所述多路补偿码产生模块和所述SRAM芯片内部的一SRAM时序电路之间的时序补偿模块，其用于根据所述一组温度补偿码Bit[0]、……Bit[N]对所述SRAM时序电路进行时序补偿。
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