[发明专利]一种发光二极管的透明电极及其制备方法

摘要

本发明提供一种发光二极管的透明电极，制备方法包括如下步骤：S1.对外延片表面进行化学清洗，然后放入MOCVD反应腔内部保持300‑900℃，压力为3‑100Torr，处理1～60min；S2.在保护气氛下，调节生长温度为450‑650℃，调节反应腔的压力为3‑80Torr，然后通入铟源、锡源与氧源，控制生长速度为0.1‑3nm/min，在预处理后的外延片表面生长厚度为40‑500nm的ITO主体层；S3.在保护气氛下，调节生长温度为300‑450℃，调节反应腔的压力为3‑80Torr，然后通入铟源、锡源与氧源，控制生长速度为1‑10nm/min，在ITO主体层上生长厚度为20‑200nm的ITO粗化层。本发明原位生长粗化层的方法十分契合所述ITO透明电极主体层的制备方法，且避免后续进行复杂的工艺处理，可以有效的提高LED的光萃取效率。

主权项

1.一种发光二极管的透明电极，其特征在于，所述透明电极包括生长在氮化镓基LED上的ITO主体层以及生长在ITO主体层上的ITO粗化层；所述发光二极管的透明电极制备方法包括如下步骤：S1.氮化镓基LED外延片的预处理：对外延片表面进行化学清洗，然后放入MOCVD反应腔内部，保持温度300‑900℃、压力3‑100Torr，处理1‑60min；S2.ITO主体层生长：在保护气氛下，调节生长温度为450‑650℃，调节反应腔的压力为3‑80Torr，然后通入铟源、锡源与氧源，在预处理后的外延片表面生长厚度为40‑500nm的ITO主体层，控制生长速度为0.1‑3nm/min；S3.ITO粗化层生长：在保护气氛下，调节生长温度为300‑450℃，调节反应腔的压力为3‑80Torr，然后通入铟源、锡源与氧源，在ITO主体层上生长厚度为20‑200nm的ITO粗化层，控制生长速度为1‑10nm/min；S2、S3所述铟源与锡源的摩尔流量比为4:1‑100:1，S2、S3所述铟源与氧源的摩尔流量比为1:100‑1:10000。