[发明专利]大芯径光纤预制棒和光纤的制备方法有效

专利信息
申请号: 201811407377.3 申请日: 2018-11-23
公开(公告)号: CN109399910B 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 侯超奇;折胜飞;李玮楠;常畅;赵保银;郑锦坤;李哲;高菘;张岩 申请(专利权)人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
主分类号: C03B37/018 分类号: C03B37/018;C03B37/027
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 倪金荣
地址: 710119 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及光纤预制棒和光纤的制备方法,具体涉及一种大芯径光纤预制棒和相应的低损耗光纤的制备方法,解决了现有技术中制备的光纤预制棒芯径小的问题。本发明大芯径光纤预制棒的制备方法为:采用改进型化学气相沉积(MCVD)结合稀土离子气相掺杂法,所有物料的沉积均在气相条件下进行,然后通过烧结、缩管工艺以获得大芯径光纤预制棒,所制备的光纤预制棒芯的组分为SiO2、Al2O3、P2O5、Yb2O3和F,棒芯直径3mm。本发明光纤的制备方法为:选定合适的套管工艺对所制备的大芯径光纤预制棒进行套管,使其芯包比满足光纤的要求,将套完管的预制棒加工成八边形结构,在2050±20℃的温度下进行拉丝,拉制为光纤。
搜索关键词: 大芯径 光纤 预制 制备 方法
【主权项】:
1.一种大芯径光纤预制棒的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:1)将大芯径光纤预制棒芯组分SiO2、Al2O3、P2O5、Yb2O3和F的含量换算成沉积时气态反应物料的流量,在MCVD设备的控制系统中设定气态反应物料的流量及沉积层数;其中,所用的气态反应物料包括SiCl4、Al(acac)3、Yb(thd)3、POCl3、SiF4和O2;2)将清洗干净的石英管连接至MCVD沉积床上,采用氢氧焰预热石英管;预热的同时,石英管处于旋转状态;预热完成后,通入SF6气体侵蚀石英管内壁;3)侵蚀完成后,将气态反应物料通入转动的石英管内进行芯棒沉积;石英管的加热温度为1850℃‑1950℃;4)达到设定的沉积层数时,开始缩管,缩管过程中通入氯气;待石英管由空心管缩成实心棒,预制棒制作完成。
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