[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201811407379.2 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109616486A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张东亮;陈世杰;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明技术方案公开了一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有分立排列的光电二极管；滤色片，位于所述半导体衬底上且对应于所述光电二极管；微透镜，位于所述滤色片上，所述微透镜中掺有感光变色材料。本发明技术方案利用可变色微透镜在强光下呈深色的特性来减少光线进入量，从而改善图像的过曝光现象，提高图像传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 微透镜 衬底 半导体 光电二极管 滤色片 强光 感光变色材料 进入量 可变色 分立 制造 图像 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有分立排列的光电二极管；滤色片，位于所述半导体衬底上且对应于所述光电二极管；微透镜，位于所述滤色片上，所述微透镜中掺有感光变色材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
