[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811408244.8 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN111223778B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底、凸出于衬底的鳍部、以及依次位于鳍部上的多个沟道叠层，每一个沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层，与鳍部相邻的沟道叠层为底部沟道叠层；形成横跨沟道叠层的伪栅结构，伪栅结构覆盖沟道叠层的部分顶部和部分侧壁；刻蚀伪栅结构两侧的沟道叠层，在伪栅结构两侧的沟道叠层内形成露出鳍部的凹槽；在凹槽底部形成隔离层，隔离层露出底部沟道叠层中沟道层的侧壁；形成隔离层后，在凹槽内形成源漏掺杂层。本发明实施例中隔离层能够对源漏掺杂层和鳍部起到隔离作用，而且隔离层能够增大源漏掺杂层和鳍部之间的距离，有利于降低源漏掺杂层和鳍部之间的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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