[发明专利]TSV结构及TSV露头方法在审
| 申请号： | 201811409033.6 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109671692A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 戴风伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/535;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种TSV结构及TSV露头方法。该TSV结构包括：衬底；TSV导电柱，贯穿于衬底正面和衬底背面设置，且TSV导电柱具有延伸出衬底背面的露头部分；光敏性有机绝缘层，覆盖于衬底背面并包裹露头部分，光敏性有机绝缘层具有远离衬底背面的第一表面，且光敏性有机绝缘层中具有由第一表面向TSV导电柱延伸的通孔。由于上述TSV结构中采用光敏性有机绝缘层替代了现有技术中的SiO2或SiN等绝缘介质，仅需要光刻即可实现TSV露头，从而不需要TSV刻蚀非常均匀，降低了工艺难度，并且不需要CMP工艺，工艺成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 有机绝缘层 光敏性 导电柱 衬底 衬底背面 第一表面 衬底正面 工艺成本 工艺难度 绝缘介质 延伸 光刻 刻蚀 通孔 贯穿 替代 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种TSV结构，其特征在于，包括：衬底(10)；TSV导电柱(20)，贯穿于所述衬底正面(110)和所述衬底背面(120)设置，且所述TSV导电柱(20)具有延伸出所述衬底背面(120)的露头部分；光敏性有机绝缘层(40)，覆盖于所述衬底背面(120)并包裹所述露头部分，所述光敏性有机绝缘层(40)具有远离所述衬底背面(120)的第一表面，且所述光敏性有机绝缘层(40)中具有由所述第一表面向所述TSV导电柱(20)延伸的通孔(410)。
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