[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法在审

专利信息
申请号: 201811409219.1 申请日: 2018-11-23
公开(公告)号: CN110010187A 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 金经纶 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00;G11C29/44
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 本申请提供了一种半导体存储器装置及其操作方法。所述半导体存储器装置具有存储器单元阵列和修复控制电路。存储器单元阵列包括正常单元区和冗余单元区,正常单元区包括多个正常区组,冗余单元区被构造为替代正常单元区的失效的存储器单元。修复控制电路被构造为:基于输入地址从所述多个正常区组中确定目标正常区组,基于目标正常区组从多个失效地址中提取目标失效地址,以及基于目标失效地址和输入地址控制修复操作。
搜索关键词: 正常区 半导体存储器装置 失效地址 正常单元 存储器单元阵列 控制电路 冗余单元 输入地址 修复 存储器单元 替代 申请
【主权项】:
1.一种半导体存储器装置,包括:存储器单元阵列,其包括正常单元区和冗余单元区,所述正常单元区包括多个正常区组,所述冗余单元区被构造为替代所述正常单元区的失效的存储器单元;以及修复控制电路,其被构造为,基于输入地址从所述多个正常区组中确定目标正常区组,基于所述目标正常区组从多个失效地址中提取目标失效地址,以及基于所述目标失效地址和所述输入地址控制修复操作。
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