[发明专利]一种Si4+

摘要

本发明公开了一种Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8:Cr3+的制备方法，步骤如下：将Li2CO3Ga2O3、Cr2O3、SiO2、GeO2和SnO2置入玛瑙研钵中，混合并充分研磨1.5‑2.5h，对研磨后的粉末混合物进行压片，然后放入高温马弗炉，在空气气氛中升温至1320‑1340℃煅烧11‑13h，随炉冷却至室温后取出即得。该方法简便、快捷、易操作，制备的Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8:Cr3+长余辉材料具有优异的发光强度和余辉性能，在安全指示、信息显示和生物医学成像等领域具有潜在的应用价值。