[发明专利]聚偏氟乙烯薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201811414141.2 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN109320743B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 孙晓丽;米策;闫寿科;李慧慧;任忠杰 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08J7/00;C08L27/16 |
| 代理公司： | 北京悦成知识产权代理事务所(普通合伙) 11527 | 代理人： | 樊耀峰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，包括：(1)将聚偏氟乙烯PVDF分散于溶剂中，形成浓度为1～100mg/mL的PVDF溶液；PVDF的重均分子量为3.5×10 |
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| 搜索关键词： | 聚偏氟 乙烯 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将聚偏氟乙烯PVDF分散于溶剂中，形成浓度为1～100mg/mL的PVDF溶液；其中，PVDF的重均分子量为3.5×105～8×105；(2)将所述PVDF溶液施加于基底上、并在40～130℃干燥成型，得到初始膜；(3)将所述初始膜进一步干燥，形成预处理膜；(4)以1～20℃/min的升温速率将所述预处理膜升温至150～170℃，并持续退火1～60min，然后以1～20℃/min的降温速率降温至23±2℃，形成γ晶型聚偏氟乙烯薄膜。
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