[发明专利]一种金属有机物化学气相沉积设备的反应腔体的清洁方法有效
申请号: | 201811415026.7 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN109385621B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 唐军;周陈;齐胜利;潘尧波 | 申请(专利权)人: | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23F1/12 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王华英 |
地址: | 230011 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开一种金属有机物化学气相沉积设备的反应腔体的清洁方法,本发明包括将所述反应腔体升温到第一温度,并向所述反应腔体内通入氢气,以去除所述反应腔体内的水气,将所述反应腔体升温到第二温度,并持续向所述反应腔体内通入氢气,以利用所述氢气烘烤所述反应腔体,将所述反应腔体保持在所述第二温度,并持续向所述反应腔体内通入氢气,且利用脉冲循环方式向所述反应腔体内通入氨气,向所述反应腔体内通入氮气,在氮气环境下将所述反应腔体的温度逐渐降低到常温。本发明能够有效对腔体内部的覆盖层进行去除,并对腔体内的金属镓、铝等原子进行钝化,保证连续生长过程中的外延片表面正常并且不会发生表面粗化现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属 有机物 化学 沉积 设备 反应 清洁 方法 | ||
【主权项】:
1.一种金属有机物化学气相沉积设备的反应腔体的清洁方法,其特征在于,包括:S1、将所述反应腔体升温到第一温度,并向所述反应腔体内通入氢气,以去除所述反应腔体内的水气;S2、将所述反应腔体升温到第二温度,并持续向所述反应腔体内通入氢气,以利用所述氢气烘烤所述反应腔体;S3、将所述反应腔体保持在所述第二温度,并持续向所述反应腔体内通入氢气,且利用脉冲循环方式向所述反应腔体内通入氨气;S4、向所述反应腔体内通入氮气,在氮气环境下将所述反应腔体的温度逐渐降低到常温。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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