[发明专利]刻蚀方法以及利用该刻蚀方法制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201811416581.1 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110021526A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李相炫;李全一;康诚右;申洪湜;吴怜默;李升玟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种刻蚀方法和一种制造半导体器件的方法。所述刻蚀方法包括：将第一处理气体的等离子体提供到刻蚀对象，以在所述刻蚀对象上形成沉积层，所述第一处理气体包括碳氟化合物气体和惰性气体，并且所述刻蚀对象包括包含氧化硅的第一区和包含氮化硅的第二区；将惰性气体的等离子体提供到在所述刻蚀对象上具有所述沉积层的所述刻蚀对象，以活化所述氧化硅的刻蚀反应，其中，将负直流电压施加到与所述刻蚀对象分隔开以面对所述刻蚀对象的刻蚀表面的相对部，所述相对部包括硅；以及随后，提供第二处理气体的等离子体，以去除刻蚀反应产物，所述第二处理气体包括惰性气体和含氧气体。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀对象 刻蚀 处理气体 等离子体 惰性气体 半导体器件 沉积层 氧化硅 碳氟化合物气体 负直流电压 含氧气体 刻蚀表面 氮化硅 第一区 分隔 活化 去除 制造 施加 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀方法，包括：将第一处理气体的等离子体提供到刻蚀对象，以在所述刻蚀对象上形成沉积层，所述第一处理气体包括碳氟化合物气体和惰性气体，并且所述刻蚀对象包括包含氧化硅的第一区和包含氮化硅的第二区；将惰性气体的等离子体提供到在所述刻蚀对象上具有所述沉积层的所述刻蚀对象，以活化所述氧化硅的刻蚀反应，其中，将负直流电压施加到与所述刻蚀对象分隔开以面对所述刻蚀对象的刻蚀表面的相对部，所述相对部包括硅；以及随后，提供第二处理气体的等离子体，以去除刻蚀反应产物，所述第二处理气体包括惰性气体和含氧气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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