[发明专利]三维空间束缚单杂质原子晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811417296.1 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN111223923B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 窦亚梅;韩伟华;张晓迪;赵晓松;郭仰岩;吴歆宇;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种三维空间束缚单杂质原子晶体管，基于SOI基片制备而成，所述三维空间束缚单杂质原子晶体管，包括：硅衬底；氧化物绝缘层，制作在所述硅衬底上；双V型凹槽纳米结构，制作在所述氧化物绝缘层上，双V型凹槽位于双V型凹槽纳米结构的两端之间；源区硅电导台面，位于所述氧化物绝缘层上，与所述双V型凹槽纳米结构的一端相连；漏区硅电导台面，位于所述氧化物绝缘层上，与所述双V型凹槽纳米结构的另一端相连；氧化物薄层，包裹在源区硅电导台面、漏区硅电导台面和双V型凹槽纳米结构的表面；栅极导电条，形成于氧化物绝缘层上，将双V型凹槽纳米结构的形成有双V型凹槽的部分覆盖，延伸方向垂直于所述双V型凹槽纳米结构的延伸方向；以及电极。 | ||
| 搜索关键词： | 三维空间 束缚 杂质 原子 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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