[发明专利]硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法在审
| 申请号： | 201811417388.X | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN110061130A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 尼尔·格里利;巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;古尔特杰·桑胡;约翰·斯迈思 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器存取装置 绝缘材料 自对准 存储器元件 硫属化合物 导电电极 通孔 交叉点存储器阵列 硫属化合物材料 三维堆叠 生长 图案化 可用 存取 掺杂 存储 暴露 制作 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，其包括：绝缘材料，其位于第一导电电极上方，所述绝缘材料包括暴露所述第一导电电极的部分的通孔；自对准的经掺杂硫属化合物存储器存取装置，其形成在所述绝缘材料的所述通孔内，其中所述存储器存取装置掺杂有掺杂剂材料，所述掺杂剂材料为Cu或Ag中的一者；及存储器元件，其位于所述存储器存取装置上方，其中存储在所述存储器元件中的数据可经由所述存储器存取装置而存取。
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