[发明专利]全无机钙钛矿多重阻变忆阻器的制备方法在审
| 申请号： | 201811417769.8 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN109346601A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 阮伟;张树芳;张志伟;胡延强 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 刘海霞 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全无机钙钛矿多重阻变忆阻器的制备方法。所述方法先采用热喷涂的方法在清洗干净的基底表面上制备钙钛矿薄膜；然后在冷却后的钙钛矿薄膜滴加溶剂的进行旋涂，再退火处理得到全无机钙钛矿薄膜；最后在全无机钙钛矿薄膜上镀层金或铂电极，制得忆阻器元件。本发明方法简单易操作，制备出的钙钛矿薄膜致密均匀、覆盖度好，缺陷少；制备的忆阻器性能优良，通过调整溶剂中甲醇与丁酸的比例实现多重阻变。 | ||
| 搜索关键词： | 无机钙钛矿 制备 忆阻器 薄膜 钙钛矿薄膜 溶剂 致密 忆阻器元件 制备钙钛矿 基底表面 退火处理 铂电极 覆盖度 热喷涂 滴加 丁酸 镀层 甲醇 旋涂 冷却 清洗 | ||
【主权项】：
1.全无机钙钛矿多重阻变忆阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，100～150℃下，在清洗干净的基底表面喷涂CsPbBr3前驱体溶液，制备钙钛矿薄膜；步骤2，将步骤1的薄膜进行旋涂，旋涂过程中滴加溶剂进行溶解再结晶，所述的溶剂中甲醇与丁酸的体积比为100:0～100:5；步骤3，旋涂后的薄膜在200～250℃下加热，进行退火处理，得到全无机钙钛矿薄膜；步骤4，在全无机钙钛矿薄膜上镀一层金或铂电极，得到全无机钙钛矿多重阻变忆阻器。
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