[发明专利]一种石墨烯基底涂覆太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811419803.5 申请日: 2018-11-26
公开(公告)号: CN109638093B 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 张岩;付吉国;董伟;赵然;周卫东;曾蕾 申请(专利权)人: 国宏科信科技发展有限公司
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/07;H01L31/18
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 董李欣
地址: 100089 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种石墨烯基底涂覆太阳能电池,包括铜导线、银胶、Ti/Au电极、多层石墨烯层、n型硅片、In‑Ga合金层、导电铜基底;硅片上有绝缘层,中间围成方形,Ti/Au电极位于绝缘层上;石墨烯层面积大于硅片;In‑Ga合金层处于n型硅片和铜基底之间;硅片的上表面具有微孔阵列,填满石墨烯微片。还包括制备该电池的方法。
搜索关键词: 一种 石墨 基底 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种石墨烯基底涂覆太阳能电池,包括:铜导线(1)、银胶(2)、Ti/Au电极(3)、多层石墨烯层(4)、n型硅片(5)、In‑Ga合金层(6)、导电铜基底(7);所述n型硅片的上表面四周带有绝缘层(8),中间表面被围成方形,所述Ti/Au电极位于绝缘层之上;所述多层石墨烯层每一层的面积都大于所述n型硅片的上表面并覆盖所述上表面;所述In‑Ga合金层是处于n型硅片下表面和导电铜基底上表面之间的粘附夹层,且使得n型硅片下表面和导电铜基底上表面相互平行;所述n型硅片的上表面具有5‑15um深度的均匀排布的微孔(9)阵列,且其中填满平均径向尺寸低于15um且平均厚度低于2um的石墨烯微片(10),且几乎无空隙;所述Ti/Au电极部分区域粘附所述银胶,铜导线自所述银胶之中引出。
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