[发明专利]一种半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201811420138.1 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN111223932A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 伏广才;叶星 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙) 11597 | 代理人： | 刘锋;方岩 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。本发明实施例通过刻蚀部分所述掺杂区及下方的部分所述体区，以形成分立的第一源区和第二源区以及隔离所述第一源区和所述第二源区的第二凹槽；并在所述第二凹槽底部形成与第一源区和第二源区的掺杂类型相反的拾取区；在第二凹槽的侧壁和底面形成金属硅化物，以使得所述第一源区和所述第二源区分别与所述拾取区电连接。由此可以提高半导体器件的体区的拾取能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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