[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示装置在审

专利信息
申请号: 201811421287.X 申请日: 2018-11-26
公开(公告)号: CN109387987A 公开(公告)日: 2019-02-26
发明(设计)人: 黄北洲 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 胡海国
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种阵列基板制作方法,所述阵列基板制作方法包括以下步骤:提供一基板;在所述基板上依次形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层、有源层、源极/漏极金属层和保护层;涂布像素电极的光阻,通过图案化方式形成像素电极,所述像素电极不形成于保护层上,且所述像素电极直接与所述漏极金属层连接。本发明还公开了一种阵列基板和显示装置。本发明ITO像素电极层不会与保护层接触,避免了保护层与ITO像素电极的不兼容问题,提高了显示装置的稳定性,提高了显示画面的稳定性和显示效果。
搜索关键词: 像素电极 阵列基板 保护层 显示装置 基板 制作 薄膜晶体管 漏极金属层 图案化方式 源极/漏极 显示画面 显示效果 栅绝缘层 不兼容 金属层 光阻 源层
【主权项】:
1.一种阵列基板制作方法,其特征在于,所述阵列基板方法包括:提供一基板;在所述基板上依次形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层、有源层、源极/漏极金属层和保护层;涂布像素电极的光阻,通过图案化方式形成像素电极,所述像素电极不形成于保护层上,且所述像素电极直接与所述漏极金属层连接。
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