[发明专利]一种多层背电极及其制备方法和一种太阳能电池在审
申请号: | 201811423088.2 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN111223941A | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 孙合成;卫成刚;左悦 | 申请(专利权)人: | 华夏易能(南京)新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 陈丹;张奎燕 |
地址: | 210000 江苏省南京市南京经*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请公开了一种多层背电极。所述多层背电极包括至少三层Mo膜层,所述至少三层Mo膜层包括:形成在衬底上的第一Mo膜层,所述第一Mo膜层具有张应力结构;位于所述多层背电极的表层的第二Mo膜层,所述第二Mo膜层具有张应力结构;以及形成在所述第一Mo膜层与所述第二Mo膜层之间的第三Mo膜层,所述第三Mo膜层具有压应力结构。本申请还公开了一种制备多层背电极的方法和一种太阳能电池。本申请的多层背电极能够控制CIGS系列的吸收层薄膜朝着(220)/(204)结晶取向进行生长,从而提高太阳能电池的光电转化效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 多层 电极 及其 制备 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的