[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201811423550.9 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111223824B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 周政伟;林信志;周钰杰 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 许曼;王天尧 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置及其形成方法，其中，半导体装置包括：半导体装置包含第一复合III‑V族半导体层设置于复合基底上，以及第二III‑V族半导体层设置于第一复合III‑V族半导体层上。半导体装置也包含栅极结构设置于第二III‑V族半导体层上，以及源极电极和漏极电极设置于第二III‑V族半导体层上和栅极结构的相对两侧。半导体装置更包含场板设置于栅极结构与漏极电极之间，以及导电结构穿过第二III‑V族半导体层和第一复合III‑V族半导体层，其中场板藉由导电结构与复合基底电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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