[发明专利]用于沉积钝化膜的方法及设备以及从而沉积的钝化膜在审
申请号: | 201811424354.3 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN109841760A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 李宰承;郑泰薰;黄栋义 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及用于沉积钝化膜的方法及设备以及从而沉积的钝化膜,方法包括:将衬底支撑在衬底支撑件上;分别使用包括线性源气体喷嘴及线性反应气体喷嘴的线性沉积源来分别将源气体及反应气体注入到衬底上,所述线性源气体喷嘴及所述线性反应气体喷嘴在与衬底交叉的第一轴线方向并列安置,且同时,在与第一轴线方向交叉的第二轴线方向上移动衬底支撑件或线性沉积源,其中在移动衬底支撑件或线性沉积源的步骤中,在第二轴线方向中的一个方向上及另一方向上的移动交替地执行,且一个方向及另一方向上的移动距离不同。 | ||
搜索关键词: | 气体喷嘴 轴线方向 钝化膜 沉积 衬底支撑件 沉积源 线性反应 线性源 衬底 衬底支撑 反应气体 上移动 源气体 移动 并列 安置 | ||
【主权项】:
1.一种用于沉积钝化膜的方法,所述方法包括:将衬底支撑在衬底支撑件上;以及使用包括线性源气体喷嘴及线性反应气体喷嘴的线性沉积源来分别将源气体及反应气体注入到所述衬底上,所述线性源气体喷嘴及所述线性反应气体喷嘴在与衬底交叉的第一轴线方向并列安置,且同时,在与所述第一轴线方向交叉的第二轴线方向上移动所述衬底支撑件或所述线性沉积源,其中在移动所述衬底支撑件或所述线性沉积源的步骤中,在所述第二轴线方向中的一个方向上及另一方向上的移动交替地执行,且在所述一个方向及所述另一方向上的移动距离不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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